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STS10DN3LH5

STS10DN3LH5

数据手册.pdf

STS10DN 系列 双 N-沟道 30 V 0.019 Ohm 10 A 功率 MosFet - SOIC-8

MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 30V 10A 2.5W 表面贴装型 8-SOIC


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MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC


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STS10DN3LH5中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

针脚数 8

漏源极电阻 0.019 Ω

极性 N-CH

耗散功率 2.5 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 10A

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 475pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 2.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STS10DN3LH5引脚图与封装图
STS10DN3LH5引脚图

STS10DN3LH5引脚图

STS10DN3LH5封装图

STS10DN3LH5封装图

STS10DN3LH5封装焊盘图

STS10DN3LH5封装焊盘图

在线购买STS10DN3LH5
型号 制造商 描述 购买
STS10DN3LH5 ST Microelectronics 意法半导体 STS10DN 系列 双 N-沟道 30 V 0.019 Ohm 10 A 功率 MosFet - SOIC-8 搜索库存
替代型号STS10DN3LH5
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STS10DN3LH5

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: 8-SOIC N-CH 30V 10A

当前型号

STS10DN 系列 双 N-沟道 30 V 0.019 Ohm 10 A 功率 MosFet - SOIC-8

当前型号

型号: STS8DN3LLH5

品牌: 意法半导体

封装: 8-SOIC N-CH 30V 10A

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