制造商型号: | CSD25211W1015 |
制造商: | TI (德州仪器) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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TI(德州仪器) CSD25211W1015
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CSD25211W1015 中文资料
数据手册PDF
CSD25211W1015 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 3.2 A
漏源电阻 44 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 3.4 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14.2 ns
正向跨导(Min) 12 S
上升时间 8.8 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 36.9 ns
典型接通延迟时间 13.6 ns
外形参数
高度 0.625 mm
长度 1.5 mm
宽度 1 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.700 mg
库存: 383
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 7.850252 | 7.85 |
10 | 6.728788 | 67.29 |
100 | 4.679 | 467.90 |
500 | 3.653483 | 1826.74 |
1000 | 2.969514 | 2969.51 |
品牌其他型号
CSD25211W1015品牌厂家:TI
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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