CSD25201W15、CSD25211W1015、CSD25202W15对比区别

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型号 CSD25201W15 CSD25211W1015 CSD25202W15

描述 P 通道 NexFET™ 功率 MOSFETP 通道 NexFET™ 功率 MOSFETCSD25202W15 20V P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 9 6 9

封装 DSBGA-9 DSBGA-6 DSBGA-9

极性 P-Channel N-CH P-CH

耗散功率 1.5 W 1 W 0.5 W

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 4A 3.2A 4A

上升时间 11 ns 8.8 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 510pF @10V(Vds) 570pF @10V(Vds) 1010pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 1.5 W 1 W -

下降时间 38 ns 14.2 ns 28 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.5W (Ta) 1W (Ta) 500mW (Ta)

通道数 1 - -

漏源极电阻 0.033 Ω - -

漏源击穿电压 20 V - -

长度 1.5 mm 1.5 mm -

宽度 1.5 mm 1 mm -

高度 0.62 mm 0.625 mm -

封装 DSBGA-9 DSBGA-6 DSBGA-9

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 停产 正在供货 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 - - EAR99