CSD25211W1015
TI(德州仪器)
分立器件
P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。
顶视图 RθJA = 119°C/W，这是在厚度为 0.06 英寸的环氧板 FR4 印刷电路板PCB 上的 1 英寸2 2 盎司 铜过渡片上测得的典型值。脉宽 ≤ 10μs，占空比 ≤ 2%
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- 超低导通电阻
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- 超低 Qg 和 Qgd
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- 小尺寸封装 1.0mm x 1.5mm
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- 低高度（高度为 0.62mm）
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- 无铅
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- 栅 - 源电压钳位
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- 栅极静电放电 ESD 保护-3kV
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- 符合 RoHS 环保标准
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- 无卤素
## 应用范围
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- 电池管理
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- 负载开关
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- 电池保护
