制造商型号: | CSD87352Q5D |
制造商: | TI (德州仪器) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 30V 25A 8SON |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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TI(德州仪器) CSD87352Q5D
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CSD87352Q5D 中文资料
数据手册PDF
CSD87352Q5D 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 9 mOhms, 2.8 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 10 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 12.5 nC
耗散功率 8.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.7 ns
正向跨导(Min) 87 S / 51 S
上升时间 7 ns
晶体管类型 2 N-Channel
外形参数
高度 1.5 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 157.200 mg
库存: 35883
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 22.073431 | 22.07 |
10 | 19.796748 | 197.97 |
25 | 18.680364 | 467.01 |
100 | 15.917141 | 1591.71 |
250 | 14.945215 | 3736.30 |
500 | 13.077179 | 6538.59 |
1000 | 10.835282 | 10835.28 |
品牌其他型号
CSD87352Q5D品牌厂家:TI
,所属分类: 射频晶体管
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