制造商型号： | CSD87335Q3D |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N-CH 30V POWERBLOCK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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TI(德州仪器) CSD87335Q3D
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CSD87335Q3D 中文资料
数据手册PDF
CSD87335Q3D 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 2.4 Ohms, 1.2 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V, 750 mV
栅极电荷 5.7 nC, 10.7 nC
耗散功率 6 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4 ns, 5 ns
正向跨导（Min） 59 S, 107 S
上升时间 29 ns, 27 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns, 17 ns
典型接通延迟时间 8 ns, 8 ns
外形参数
高度 1.5 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 67.100 mg
库存： 4931
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 19.246697 | 19.25 |
| 10 | 17.273911 | 172.74 |
| 25 | 16.292329 | 407.31 |
| 100 | 13.88168 | 1388.17 |
| 250 | 13.034345 | 3258.59 |
| 500 | 11.405112 | 5702.56 |
| 1000 | 9.449888 | 9449.89 |
品牌其他型号
CSD87335Q3D品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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