制造商型号： | SI4900DY-T1-E3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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SILICONIX(威世) SI4900DY-T1-E3
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SI4900DY-T1-E3 中文资料
数据手册PDF
SI4900DY-T1-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 5.3 A
漏源电阻 58 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4900DY-E3
单位重量 187 mg
SI4900DY-T1-E3 同类别型号
库存： 11188
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 17.027207 | 17.03 |
| 10 | 13.933932 | 139.34 |
| 100 | 10.834981 | 1083.50 |
| 500 | 9.183342 | 4591.67 |
| 1000 | 7.480904 | 7480.90 |
品牌其他型号
SI4900DY-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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