SI4900DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.046 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 3.1 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 5.30 A
输入电容Ciss 665pF @15VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
高度 1.55 mm
封装 SOIC
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI4900DY-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SI4900DY-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 8Pin SOIC N T/R | 搜索库存 |