制造商型号： | SI1035X-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 20V SC-89 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SI1035X-T1-GE3
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SI1035X-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI1035X-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 190 mA, 155 mA
漏源电阻 5 Ohms, 8 Ohms
栅极电压 - 5 V, + 5 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 750 pC, 1.5 nC
耗散功率 280 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
外形参数
高度 0.6 mm
长度 1.66 mm
宽度 1.2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI1035X-GE3
单位重量 32 mg
SI1035X-T1-GE3 同类别型号
库存： 7667
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 6.095512 | 6.10 |
| 10 | 5.220938 | 52.21 |
| 100 | 3.895827 | 389.58 |
| 500 | 3.061006 | 1530.50 |
| 1000 | 2.365324 | 2365.32 |
品牌其他型号
SI1035X-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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