制造商型号： | QS8J5TR |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2P-CH 30V 5A TSMT8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ROHM(罗姆) QS8J5TR
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QS8J5TR 中文资料
数据手册PDF
QS8J5TR 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 28 mOhms, 28 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 19 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 55 ns, 55 ns
上升时间 40 ns, 40 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 90 ns, 90 ns
典型接通延迟时间 9 ns, 9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 QS8J5
单位重量 10 mg
库存： 2587
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 22.039346 | 22.04 |
| 10 | 19.71144 | 197.11 |
| 100 | 15.368312 | 1536.83 |
| 500 | 12.695765 | 6347.88 |
| 1000 | 10.023081 | 10023.08 |
