制造商型号： | ZXMHC3F381N8TC |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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DIODES(美台) ZXMHC3F381N8TC
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ZXMHC3F381N8TC 中文资料
数据手册PDF
ZXMHC3F381N8TC 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 4 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4.98 A, 4.13 A
漏源电阻 33 mOhms, 55 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 9 nC, 12.7 nC
耗散功率 870 mW
通道模式 Enhancement
配置 Quad
下降时间 6.3 ns, 21 ns
正向跨导（Min） 11.8 S, 14 S
上升时间 3.3 ns, 3 ns
晶体管类型 2 N-Channel, 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 11.5 ns, 30 ns
典型接通延迟时间 2.5 ns, 1.9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 H-Bridge
单位重量 750 mg
ZXMHC3F381N8TC 引脚图与封装图
ZXMHC3F381N8TC引脚图
ZXMHC3F381N8TC封装图
ZXMHC3F381N8TC封装焊盘图
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2500 | 2.94939 | 7373.48 |
| 5000 | 2.801921 | 14009.61 |
| 12500 | 2.696585 | 33707.31 |
| 25000 | 2.633384 | 65834.60 |
品牌其他型号
ZXMHC3F381N8TC品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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