制造商型号： | QS8M31TR |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | QS8M31 IS COMPLEX TYPE MOSFET(P+ |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ROHM(罗姆) QS8M31TR
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QS8M31TR 中文资料
数据手册PDF
QS8M31TR 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 3 A, 2 A
漏源电阻 112 mOhms, 210 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 4 nC, 7.2 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns, 10 ns
上升时间 15 ns, 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 26 ns, 45 ns
典型接通延迟时间 9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 QS8M31
单位重量 10 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 1.973535 | 5920.61 |
