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ZXMHC3F381N8TC

ZXMHC3F381N8TC

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

ZXMHC3F381N8TC 编带

MOSFET - 阵列 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） 30V 3.98A，3.36A 870mW 表面贴装型 8-SOP


得捷:
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC


立创商城:
ZXMHC3F381N8TC


艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.98A/4.13A Automotive 8-Pin SO T/R


Allied Electronics:
MOSFET Dual N/P-Ch 30V 4.98A/4.13A SOIC8


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.98A/4.13A 8-Pin SO


Chip1Stop:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.98A/4.13A 8-Pin SO


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.98A/4.13A Automotive 8-Pin SO T/R


Newark:
Dual MOSFET, H-Bridge, N and P Channel, 3.98 A, 30 V, 0.033 ohm, 10 V, 1 V


儒卓力:
**H-Br 30V 4A 88mOhm SO-8 **


Win Source:
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC


DeviceMart:
MOSFET COMPL H-BRIDGE 30V 8-SOIC


ZXMHC3F381N8TC中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.033 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 870 mW

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 4.98A/4.13A

输入电容Ciss 430pF @15VVds

额定功率Max 870 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电机驱动与控制, 工业, Industrial, Power Management, Motor Drive & Control, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

ZXMHC3F381N8TC引脚图与封装图
ZXMHC3F381N8TC引脚图

ZXMHC3F381N8TC引脚图

ZXMHC3F381N8TC封装图

ZXMHC3F381N8TC封装图

ZXMHC3F381N8TC封装焊盘图

ZXMHC3F381N8TC封装焊盘图

在线购买ZXMHC3F381N8TC
型号 制造商 描述 购买
ZXMHC3F381N8TC Diodes 美台 ZXMHC3F381N8TC 编带 搜索库存
替代型号ZXMHC3F381N8TC
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： ZXMHC3F381N8TC

品牌： Diodes 美台

封装： SOP-8 N-Channel 30V 4.98A 4.13A

当前型号

ZXMHC3F381N8TC 编带

当前型号

型号： ZXMHC3A01N8TC

品牌： 美台

封装： SOP-8 N+P 30V 2.72A 2.06A

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ZXMHC3F381N8TC和ZXMHC3A01N8TC的区别

型号： ZXMHC10A07N8TC

品牌： 美台

封装： SOP-8 N+P 100V 1A 0.85A

类似代替

Trans MOSFET N/P-CH 100V 1A/0.85A Automotive 8Pin SO T/R

ZXMHC3F381N8TC和ZXMHC10A07N8TC的区别

型号： DMG8601UFG-7

品牌： 美台

封装： UDFN-8 N-CH 20V 6.1A

功能相似

双N沟道共漏 20V 6.1A

ZXMHC3F381N8TC和DMG8601UFG-7的区别