制造商型号: | CSD25302Q2 |
制造商: | TI (德州仪器) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 20V 5A 6SON |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
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TI(德州仪器) CSD25302Q2
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CSD25302Q2 中文资料
数据手册PDF
CSD25302Q2 规格参数
属性
参数值
制造商型号
CSD25302Q2
制造商
TI(德州仪器)
商品描述
MOSFET P-CH 20V 5A 6SON
包装
Tape & Reel (TR)
系列
NexFET™
零件状态
Obsolete
FET 类型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
49mOhm @ 3A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.4nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
350pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.4W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
6-SON
封装/外壳
6-SMD, Flat Leads
CSD25302Q2 引脚图与封装图
CSD25302Q2引脚图
CSD25302Q2封装图
CSD25302Q2封装焊盘图
品牌其他型号
CSD25302Q2品牌厂家:TI
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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