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CSD25310Q2、CSD25404Q3、CSD25302Q2对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD25310Q2 CSD25404Q3 CSD25302Q2

描述 20V P 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD25310Q2-20V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON 3x3、6.5mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 8 6

封装 WSON-FET-6 VSON-Clip-8 WSON-FET-6

通道数 1 1 1

漏源极电阻 0.0199 Ω 150 mΩ 0.039 Ω

耗散功率 2.9 W 2.8 W 2.4 W

阈值电压 850 mV 650 mV -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 20 V 20 V 20 V

上升时间 15 ns 8 ns 13.2 ns

输入电容(Ciss) 655pF @10V(Vds) 2120pF @10V(Vds) 350pF @10V(Vds)

下降时间 5 ns 13 ns 1.3 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ 55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 2.9W (Ta) 2.8W (Ta), 96W (Tc) 2.4W (Ta)

针脚数 6 - 6

极性 P-Channel - P-Channel

连续漏极电流(Ids) 20A - 5A

长度 2 mm 3.3 mm 2 mm

宽度 2 mm 3.3 mm 2 mm

高度 0.75 mm 1 mm 0.75 mm

封装 WSON-FET-6 VSON-Clip-8 WSON-FET-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 正在供货 停产

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15