制造商型号： | SI4909DY-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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SILICONIX(威世) SI4909DY-T1-GE3
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SI4909DY-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI4909DY-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 27 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 63 nC
耗散功率 3.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 18 ns
正向跨导（Min） 22 S
上升时间 40 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 42 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2500 | 2.616791 | 6541.98 |
| 5000 | 2.492151 | 12460.75 |
| 12500 | 2.37713 | 29714.13 |
| 25000 | 2.372574 | 59314.35 |
品牌其他型号
SI4909DY-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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