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SI4909DY-T1-GE3

SI4909DY-T1-GE3

数据手册.pdf

VISHAY  SI4909DY-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -8 A, -40 V, 0.021 ohm, -10 V, -1.2 V

The is a dual P-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for load switches, notebook and desktop PC applications.

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Halogen-free
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TrenchFET® power MOSFET
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100% Rg and UIS tested

贸泽:
MOSFET -40V Vds 20V Vgs SO-8


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 40V 6.4A 8-Pin SOIC N T/R


Allied Electronics:
SI4909DY-T1-GE3 Dual P-channel MOSFET Transistor, 6.5 A, 40 V, 8-Pin SOIC


安富利:
Trans MOSFET P-CH 40V 6.4A 8-Pin SOIC N T/R


富昌:
40V 8A 0.027 Ohm Dual P-Ch 8SO


Verical:
Trans MOSFET P-CH 40V 6.4A 8-Pin SOIC N T/R


儒卓力:
**DUAL -40V -8A 27mOhm SO-8 **


SI4909DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.021 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 3.2 W

上升时间 40 ns

下降时间 18 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.55 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, Power Management, Computers & Computer Peripherals

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

SI4909DY-T1-GE3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SI4909DY-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SI4909DY-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -8 A, -40 V, 0.021 ohm, -10 V, -1.2 V 搜索库存