制造商型号： | CSD17313Q2T |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 30V 5A |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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TI(德州仪器) CSD17313Q2T
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CSD17313Q2T 中文资料
数据手册PDF
CSD17313Q2T 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 32 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 10 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 2.1 nC
耗散功率 17 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1.3 ns
正向跨导（Min） 16 S
上升时间 3.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 4.2 ns
典型接通延迟时间 2.8 ns
外形参数
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8.700 mg
库存： 25108
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 14.645306 | 14.65 |
| 10 | 11.981377 | 119.81 |
| 100 | 9.318708 | 931.87 |
品牌其他型号
CSD17313Q2T品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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