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CSD17313Q2T

CSD17313Q2T

TI(德州仪器) 分立器件

TEXAS INSTRUMENTS  CSD17313Q2T  晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 30 V, 0.024 ohm, 8 V, 1.3 V 新

N-Channel 30V 5A Ta 2.4W Ta, 17W Tc Surface Mount 6-WSON 2x2


得捷:
MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON


立创商城:
N沟道 30V 5A


德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 2 mm x 2 mm, 32 mOhm


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 19 A, 0.024 ohm, WSON, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 19A 6-Pin WSON Plastic T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 17W; WSON6 2x2mm


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD17313Q2T  MOSFET, N-CH, 30V, 19A, WSON-6


CSD17313Q2T中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.024 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 17 W

阈值电压 1.3 V

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 3.9 ns

输入电容Ciss 340pF @15VVds

下降时间 1.3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.4W Ta, 17W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 WDFN-6

外形尺寸

封装 WDFN-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

CSD17313Q2T引脚图与封装图
CSD17313Q2T引脚图

CSD17313Q2T引脚图

CSD17313Q2T封装图

CSD17313Q2T封装图

CSD17313Q2T封装焊盘图

CSD17313Q2T封装焊盘图

在线购买CSD17313Q2T
型号 制造商 描述 购买
CSD17313Q2T TI 德州仪器 TEXAS INSTRUMENTS  CSD17313Q2T  晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 30 V, 0.024 ohm, 8 V, 1.3 V 新 搜索库存
替代型号CSD17313Q2T
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD17313Q2T

品牌: TI 德州仪器

封装: WSON N-Channel 30V

当前型号

TEXAS INSTRUMENTS  CSD17313Q2T  晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 30 V, 0.024 ohm, 8 V, 1.3 V 新

当前型号

型号: CSD17313Q2

品牌: 德州仪器

封装: SON N-Channel 30V 5A

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