CSD17313Q2、CSD17313Q2T、CSD17308Q3对比区别

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型号 CSD17313Q2 CSD17313Q2T CSD17308Q3

描述 30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFETTEXAS INSTRUMENTS  CSD17313Q2T  晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 30 V, 0.024 ohm, 8 V, 1.3 V 新30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 8

封装 WSON-FET-6 WDFN-6 VSON-Clip-8

通道数 1 - 1

针脚数 6 6 8

漏源极电阻 0.024 Ω 0.024 Ω 0.0094 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.3 W 17 W 2.7 W

阈值电压 1.3 V 1.3 V 1.3 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 5.00 A - 50A

上升时间 3.9 ns 3.9 ns 5.7 ns

输入电容(Ciss) 340pF @15V(Vds) 340pF @15V(Vds) 700pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.3 W - 2.7 W

下降时间 1.3 ns 1.3 ns 2.3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.3W (Ta) 2.4W (Ta), 17W (Tc) 2.7W (Ta)

漏源击穿电压 30 V - -

长度 2 mm - 3.4 mm

宽度 2 mm - 3.4 mm

高度 0.8 mm - 1.1 mm

封装 WSON-FET-6 WDFN-6 VSON-Clip-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 正在供货 Active 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 -