制造商型号： | SI9945BDY-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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SILICONIX(威世) SI9945BDY-T1-GE3
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SI9945BDY-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI9945BDY-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 5.3 A
漏源电阻 58 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 13 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns
正向跨导（Min） 15 S
上升时间 15 ns, 65 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 10 ns, 15 ns
典型接通延迟时间 15 ns, 20 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI9945BDY-GE3
单位重量 750 mg
SI9945BDY-T1-GE3 同类别型号
库存： 46972
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 12.14445 | 12.14 |
| 10 | 9.929875 | 99.30 |
| 100 | 7.728157 | 772.82 |
| 500 | 6.550002 | 3275.00 |
| 1000 | 5.3357 | 5335.70 |
品牌其他型号
SI9945BDY-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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