SI9945BDY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.046 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.1 W
阈值电压 2.5 V
输入电容 665pF @15V
漏源极电压Vds 60 V
输入电容Ciss 665pF @15VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.1 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 消费电子产品, Power Management, 电源管理, Consumer Electronics
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
海关信息
ECCN代码 EAR99
SI9945BDY-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI9945BDY-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI9945BDY-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI9945BDY-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.3 A, 60 V, 46 mohm, 10 V, 2.5 V | 搜索库存 |
替代型号SI9945BDY-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI9945BDY-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SOIC N-Channel | 当前型号 | VISHAY SI9945BDY-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.3 A, 60 V, 46 mohm, 10 V, 2.5 V | 当前型号 |
| 型号： BUK9K52-60E 品牌： 恩智浦 封装： SOT-1205 N-Channel 60V 17A | 功能相似 | NXP BUK9K52-60E 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 60 V, 0.0411 ohm, 10 V, 1.7 V | SI9945BDY-T1-GE3和BUK9K52-60E的区别 |