制造商型号： | IRF7103TRPBF |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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INFINEON(英飞凌) IRF7103TRPBF
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IRF7103TRPBF 中文资料
数据手册PDF
IRF7103TRPBF 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 130 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 12 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF7103TRPBF SP001562004
单位重量 540 mg
库存： 4228
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 17.440444 | 17.44 |
| 10 | 10.892629 | 108.93 |
| 100 | 7.152113 | 715.21 |
| 500 | 5.542391 | 2771.20 |
| 1000 | 5.023461 | 5023.46 |
| 2000 | 4.58699 | 9173.98 |
品牌其他型号
IRF7103TRPBF品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 射频晶体管
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