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IRF7103TRPBF

IRF7103TRPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7103TRPBF  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2W, 8-SOIC

**Benefits:**

* Advanced Process Technology

* Dual N-Channel MOSFET

* Ultra Low On-Resistance

* 175°C Operating Temperature

* Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

* Automotive [Q101] Qualified

* Lead-Free


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 50V 3A 8-SOIC


IRF7103TRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 3.00 A

针脚数 8

漏源极电阻 130 mΩ

极性 N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 2 W

产品系列 IRF7103

阈值电压 3 V

输入电容 255pF @25V

漏源极电压Vds 50 V

漏源击穿电压 50 V

连续漏极电流Ids 3.00 A

上升时间 45.0 ns

热阻 50℃/W RθJA

输入电容Ciss 290pF @25VVds

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IRF7103TRPBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRF7103TRPBF International Rectifier 国际整流器 INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7103TRPBF  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2W, 8-SOIC 搜索库存
替代型号IRF7103TRPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF7103TRPBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: SOIC N-Channel 50V 3A 130mohms

当前型号

INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7103TRPBF  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2W, 8-SOIC

当前型号

型号: IRF7103PBF

品牌: 国际整流器

封装: SOIC N-Channel 50V 3A

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IRF7103TRPBF和IRF7103PBF的区别

型号: SI4946BEY-T1-E3

品牌: 威世

封装: 8-SOIC N-Channel 60V 65A 41mΩ

功能相似

双N通道60 -V ( D- S) 175℃ MOSFET Dual N-Channel 60-V D-S 175 °C MOSFET

IRF7103TRPBF和SI4946BEY-T1-E3的区别