 | | MOSFET 2N-CH 20V 15A DIRECTFET 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -40°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳： DirectFET™ Isometric SA 供应商器件封装： DIRECTFET™ SA |
 | | MOSFET 2N-CH 20V 15A DIRECTFET 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -40°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳： DirectFET™ Isometric SA 供应商器件封装： DIRECTFET™ SA |
 | | MOSFET 2N-CH 8TDSON 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C ~ 175°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 |
 | | MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO |
 | | MOSFET 2N-CH 8TDSON 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C ~ 175°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 |
 | | MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： PG-TSOP-6-6 |
 | | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO |
 | | MOSFET 2N-CH 20V 1.5A 6TSOP 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： PG-TSOP-6-6 |
 | | MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO |
 | | MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO |
 | | MOSFET 2N-CH 20V 2.1A 6TSOP 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： PG-TSOP-6-1 |
 | | MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 6TSOP 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： PG-TSOP-6-6 |
 | | MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO |
 | | MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO |
 | | MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO |
 | | MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO |
 | | MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO |
 | | MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO |
 | | MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO |
 | | MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO |
 | | MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO |
 | | MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO |
 | | MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO |
 | | MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO |
 | | MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO |
 | | MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO |
 | | MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： FETKY™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO |
 | | MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： FETKY™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO |
 | | MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO |
 | | MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO |
 | | MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO |
 | | MOSFET N/P-CH 100V 8SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO |
 | | MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： - 封装/外壳： 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 供应商器件封装： Micro8™ |
 | | MOSFET 2N-CH 30V 10A 14-SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： FETKY™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳： 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： 14-SOIC |
 | | MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC 射频晶体管 | | | 厂家： - 系列： SIPMOS® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装： PG-DSO-8 |
