BSO615NG、IRF7103TRPBF、IRF7103PBF对比区别

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型号 BSO615NG IRF7103TRPBF IRF7103PBF

描述 60V,2.6A,N沟道功率MOSFETINFINEON  IRF7103TRPBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3 A, 50 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 VINFINEON  IRF7103PBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3 A, 50 V, 130 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定功率 - 2 W 2 W

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 0.11 Ω 0.13 Ω

极性 Dual N-Channel N-CH Dual N-Channel

耗散功率 - 2 W 2 W

阈值电压 - 3 V 3 V

输入电容 380 pF 290 pF 290pF @25V

漏源极电压(Vds) 60 V 50 V 50 V

漏源击穿电压 - 50 V 50 V

连续漏极电流(Ids) 2.60 A 3A 3A

上升时间 - 8 ns 8 ns

热阻 - 50℃/W (RθJA) 62.5℃/W (RθJA)

输入电容(Ciss) 380pF @25V(Vds) 290pF @25V(Vds) 290pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W

下降时间 - 25 ns 25 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2 W 2 W

额定电压(DC) 60.0 V - -

额定电流 2.60 A - -

栅电荷 20.0 nC - -

长度 - 5 mm 5 mm

宽度 - 4 mm 4 mm

高度 - 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -