制造商型号： | CSD88584Q5DCT |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2 N-CH 40V 22-VSON-CLIP |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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TI(德州仪器) CSD88584Q5DCT
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CSD88584Q5DCT 中文资料
数据手册PDF
CSD88584Q5DCT 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 680 uOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 137 nC
耗散功率 12 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 17 ns
正向跨导（Min） 149 S
上升时间 24 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 53 ns
典型接通延迟时间 11 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 100.600 mg
库存： 3500
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 55.030634 | 55.03 |
| 10 | 49.395112 | 493.95 |
| 100 | 40.470997 | 4047.10 |
品牌其他型号
CSD88584Q5DCT品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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