制造商型号: | FDC6506P |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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ON(安森美) FDC6506P
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FDC6506P 中文资料
数据手册PDF
FDC6506P 规格参数
属性
参数值
制造商型号
FDC6506P
制造商
ON(安森美)
商品描述
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
PowerTrench®
零件状态
Active
FET 类型
2 P-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1.8A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
170mOhm @ 1.8A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
190pF @ 15V
功率 - 最大值
700mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商器件封装
SuperSOT™-6
FDC6506P 引脚图与封装图
FDC6506P封装焊盘图
库存: 18000
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
品牌其他型号
FDC6506P品牌厂家:ON
,所属分类: 射频晶体管
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