制造商型号： | SIA519EDJ-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SIA519EDJ-T1-GE3
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SIA519EDJ-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIA519EDJ-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 40 mOhms, 90 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 600 mV, 500 mV
栅极电荷 3.7 nC, 5.3 nC
耗散功率 7.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 16 ns, 10 ns
正向跨导（Min） 12 S, 7 S
上升时间 21 ns, 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns, 20 ns
典型接通延迟时间 10 ns, 20 ns
外形参数
高度 0.75 mm
长度 2.05 mm
宽度 2.05 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIA519EDJ-GE3
单位重量 28 mg
SIA519EDJ-T1-GE3 同类别型号
库存： 278253
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 8.572552 | 8.57 |
| 10 | 7.28667 | 72.87 |
| 100 | 5.064951 | 506.50 |
| 500 | 3.954806 | 1977.40 |
| 1000 | 3.214422 | 3214.42 |
品牌其他型号
SIA519EDJ-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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