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SIA519EDJ-T1-GE3

SIA519EDJ-T1-GE3

数据手册.pdf

VISHAY  SIA519EDJ-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.5 A, 20 V, 0.053 ohm, 4.5 V, 600 mV

The is a N/P-channel MOSFET housed in a surface-mount package.

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Halogen-free
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TrenchFET® power MOSFET
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Typical ESD protection
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100% Rg tested

艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R


富昌:
N / P沟道 20 V 40 mΩ 7.7/12 nC 功率 Mosfet - PowerPAK-SC-70-6L 双


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R


Newark:
# VISHAY  SIA519EDJ-T1-GE3  Dual MOSFET, N and P Channel, 4.5 A, 20 V, 0.053 ohm, 4.5 V, 600 mV


SIA519EDJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.053 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 7.8 W

阈值电压 600 mV

漏源极电压Vds 20 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 6

封装 SC-70

外形尺寸

封装 SC-70

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SIA519EDJ-T1-GE3引脚图与封装图
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SIA519EDJ-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SIA519EDJ-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.5 A, 20 V, 0.053 ohm, 4.5 V, 600 mV 搜索库存