制造商型号： | SI4948BEY-T1-E3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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SILICONIX(威世) SI4948BEY-T1-E3
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SI4948BEY-T1-E3 中文资料
数据手册PDF
SI4948BEY-T1-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 3.1 A
漏源电阻 120 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 22 nC
耗散功率 2.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 35 ns
正向跨导（Min） 8.5 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4948BEY-E3
单位重量 750 mg
库存： 1
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 18.840044 | 18.84 |
| 10 | 16.799039 | 167.99 |
| 100 | 13.098112 | 1309.81 |
| 500 | 10.820181 | 5410.09 |
| 1000 | 8.542248 | 8542.25 |
品牌其他型号
SI4948BEY-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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