制造商型号： | DMN10H099SFG-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) DMN10H099SFG-7
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DMN10H099SFG-7 中文资料
数据手册PDF
DMN10H099SFG-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标名 PowerDI
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 4.2 A
漏源电阻 54 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 25.2 nC
耗散功率 980 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7.3 ns
上升时间 5.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 5.4 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
库存： 1621
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 8.177786 | 8.18 |
| 10 | 7.050244 | 70.50 |
| 100 | 4.879414 | 487.94 |
| 500 | 4.077247 | 2038.62 |
| 1000 | 3.469985 | 3469.98 |
品牌其他型号
DMN10H099SFG-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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