制造商型号： | EM6K1T2R |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 30V .1A EMT6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ROHM(罗姆) EM6K1T2R
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EM6K1T2R 中文资料
数据手册PDF
EM6K1T2R 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 100 mA
漏源电阻 7 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 35 ns
上升时间 35 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 80 ns
典型接通延迟时间 15 ns
外形参数
高度 0.5 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 EM6K1
单位重量 3 mg
库存： 29249
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 5.727572 | 5.73 |
| 10 | 4.843534 | 48.44 |
| 100 | 3.368062 | 336.81 |
| 500 | 2.629454 | 1314.73 |
| 1000 | 2.137256 | 2137.26 |
| 2000 | 1.910645 | 3821.29 |
品牌其他型号
EM6K1T2R品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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