锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

EM6K1T2R
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

N 沟道和 N 沟道 150 mW 30 V 13 Ohm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet -EMT-6

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 30V 100mA 150mW Surface Mount EMT6


得捷:
MOSFET 2N-CH 30V .1A EMT6


立创商城:
2个N沟道 30V 100mA


贸泽:
MOSFET 2N-CH 30V .1A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 6-Pin EMT T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 6-Pin EMT T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 6-Pin EMT T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 6-Pin EMT T/R


儒卓力:
**N+N CHANNEL-FET 0,1A 30V EMT6 **


Win Source:
MOSFET 2N-CH 30V .1A EMT6


DeviceMart:
MOSFET 2N-CH 30V .1A EMT6


EM6K1T2R中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 100 mA

通道数 2

漏源极电阻 7 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 0.12 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 100 mA

上升时间 35 ns

输入电容Ciss 13pF @5VVds

额定功率Max 150 mW

下降时间 80 ns

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563-6

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.5 mm

封装 SOT-563-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

EM6K1T2R引脚图与封装图
EM6K1T2R引脚图

EM6K1T2R引脚图

EM6K1T2R封装图

EM6K1T2R封装图

EM6K1T2R封装焊盘图

EM6K1T2R封装焊盘图

在线购买EM6K1T2R
型号 制造商 描述 购买
EM6K1T2R ROHM Semiconductor 罗姆半导体 N 沟道和 N 沟道 150 mW 30 V 13 Ohm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet -EMT-6 搜索库存