制造商型号: | CSD87501L |
制造商: | TI (德州仪器) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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TI(德州仪器) CSD87501L
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CSD87501L 中文资料
数据手册PDF
CSD87501L 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 14 A
漏源电阻 4.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 40 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 712 ns, 712 ns
正向跨导(Min) 48 S, 48 S
上升时间 260 ns, 260 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 709 ns, 709 ns
典型接通延迟时间 164 ns, 164 ns
外形参数
高度 0.2 mm
长度 3.37 mm
宽度 1.47 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 3.100 mg
库存: 5114
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 12.202218 | 12.20 |
10 | 10.944643 | 109.45 |
25 | 10.389318 | 259.73 |
100 | 8.532838 | 853.28 |
250 | 7.976267 | 1994.07 |
500 | 7.048649 | 3524.32 |
1000 | 5.56471 | 5564.71 |
品牌其他型号
CSD87501L品牌厂家:TI
,所属分类: 射频晶体管
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