制造商型号: | CSD87381P |
制造商: | TI (德州仪器) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 30V 15A 5PTAB |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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TI(德州仪器) CSD87381P
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CSD87381P 中文资料
数据手册PDF
CSD87381P 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 16.3 mOhms, 7.6 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1.1 V, 1 V
栅极电荷 3.9 nC, 8.9 nC
耗散功率 4 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3 ns, 2.9 ns
正向跨导(Min) 40 S, 89 S
上升时间 19.3 ns, 16.3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 10.6 ns, 16.8 ns
典型接通延迟时间 6.7 ns, 7.9 ns
规格参数
开发套件 CSD87381PEVM-603
外形参数
高度 0.48 mm
长度 3 mm
宽度 2.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 33.200 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
2500 | 2.834603 | 7086.51 |
5000 | 2.692906 | 13464.53 |
12500 | 2.591662 | 32395.77 |
25000 | 2.510681 | 62767.03 |
品牌其他型号
CSD87381P品牌厂家:TI
,所属分类: 射频晶体管
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