制造商型号： | CSD87502Q2T |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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TI(德州仪器) CSD87502Q2T
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CSD87502Q2T 中文资料
数据手册PDF
CSD87502Q2T 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 35 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 6 nC
耗散功率 2.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3 ns, 3 ns
正向跨导（Min） 75 S, 75 S
上升时间 11 ns, 11 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns, 12 ns
典型接通延迟时间 3 ns, 3 ns
外形参数
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 5 mg
CSD87502Q2T 引脚图与封装图
CSD87502Q2T引脚图
CSD87502Q2T封装图
CSD87502Q2T封装焊盘图
库存： 13000
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 250 | 9.632635 | 2408.16 |
| 500 | 8.512666 | 4256.33 |
| 1250 | 6.720565 | 8400.71 |
| 2500 | 6.272478 | 15681.20 |
| 6250 | 5.958841 | 37242.76 |
| 12500 | 5.734921 | 71686.51 |
品牌其他型号
CSD87502Q2T品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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