制造商型号： | SI6913DQ-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SI6913DQ-T1-GE3
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SI6913DQ-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI6913DQ-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 5.8 A
漏源电阻 21 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 28 nC
耗散功率 1.14 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 80 ns
正向跨导（Min） 25 S
上升时间 80 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 130 ns
典型接通延迟时间 45 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI6913DQ-GE3
单位重量 158 mg
SI6913DQ-T1-GE3 同类别型号
库存： 18000
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 15.60164 | 15.60 |
| 10 | 13.949022 | 139.49 |
| 100 | 10.876078 | 1087.61 |
| 500 | 8.984928 | 4492.46 |
| 1000 | 7.093315 | 7093.31 |
品牌其他型号
SI6913DQ-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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