SI6913DQ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.016 Ω
极性 Dual P-Channel
耗散功率 830 mW
漏源极电压Vds -12.0 V
连续漏极电流Ids -4.40 A
上升时间 80 ns
下降时间 80 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 830 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSSOP-8
外形尺寸
高度 1 mm
封装 TSSOP-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
SI6913DQ-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI6913DQ-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI6913DQ-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.9 A, -12 V, 0.016 ohm, -4.5 V, -900 mV | 搜索库存 |