制造商型号: | CSD19501KCS |
制造商: | TI (德州仪器) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 80V 100A TO220 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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TI(德州仪器) CSD19501KCS
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CSD19501KCS 中文资料
数据手册PDF
CSD19501KCS 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 6.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.6 V
栅极电荷 38 nC
耗散功率 217 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导(Min) 137 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
外形参数
高度 16.51 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
CSD19501KCS 引脚图与封装图
CSD19501KCS引脚图
CSD19501KCS封装图
CSD19501KCS封装焊盘图
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 13.975959 | 13.98 |
10 | 12.535027 | 125.35 |
100 | 10.075441 | 1007.54 |
500 | 8.278068 | 4139.03 |
1000 | 6.858979 | 6858.98 |
品牌其他型号
CSD19501KCS品牌厂家:TI
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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