针脚数 3
漏源极电阻 0.0055 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 217 W
阈值电压 2.6 V
漏源极电压Vds 80 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 3980pF @40VVds
额定功率Max 217 W
下降时间 5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 217W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tube
制造应用 工业, 电机驱动与控制, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
CSD19501KCS引脚图
CSD19501KCS封装图
CSD19501KCS封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CSD19501KCS | TI 德州仪器 | 80V、N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET，CSD19501KCS | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CSD19501KCS 品牌： TI 德州仪器 封装： TO-220-3 N-Channel 80V 100A | 当前型号 | 80V、N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET，CSD19501KCS | 当前型号 |
| 型号： CSD19506KCS 品牌： 德州仪器 封装： TO-220-3 N-Channel 80V 150A | 类似代替 | 80V、N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET，CSD19506KCS | CSD19501KCS和CSD19506KCS的区别 |
| 型号： CSD19503KCS 品牌： 德州仪器 封装： TO-220 N-Channel 80V 100A | 类似代替 | 80V、N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET，CSD19503KCS | CSD19501KCS和CSD19503KCS的区别 |
| 型号： CSD19505KCS 品牌： 德州仪器 封装： TO-220-3 N-Channel 80V 150A | 类似代替 | 80V、N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET，CSD19505KCS | CSD19501KCS和CSD19505KCS的区别 |
