CSD19501KCS、CSD19502Q5B、CSD19503KCS对比区别

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型号 CSD19501KCS CSD19502Q5B CSD19503KCS

描述 80V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，CSD19501KCSN 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19502Q5B80V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，CSD19503KCS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 8 3

封装 TO-220-3 VSON-Clip-8 TO-220-3

通道数 - - 1

针脚数 3 8 3

漏源极电阻 0.0055 Ω 0.0034 Ω 0.0076 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 217 W 3.2 W 188 W

阈值电压 2.6 V 2.7 V 2.8 V

漏源极电压(Vds) 80 V 80 V 80 V

漏源击穿电压 - - 80 V

连续漏极电流(Ids) 100A 100A 100A

上升时间 15 ns 6 ns 3 ns

输入电容(Ciss) 3980pF @40V(Vds) 4870pF @40V(Vds) 2730pF @40V(Vds)

额定功率(Max) 217 W - 188 W

下降时间 5 ns 7 ns 2 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 217W (Tc) 3.1W (Ta), 195W (Tc) 188W (Tc)

长度 - - 10.67 mm

宽度 - - 4.7 mm

高度 - - 16.51 mm

封装 TO-220-3 VSON-Clip-8 TO-220-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 正在供货 正在供货

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15