制造商型号： | CSD18532NQ5BT |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 60V 100A |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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TI(德州仪器) CSD18532NQ5BT
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CSD18532NQ5BT 中文资料
数据手册PDF
CSD18532NQ5BT 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 3.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.4 V
栅极电荷 49 nC
耗散功率 156 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.7 ns
正向跨导（Min） 140 S
上升时间 8.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 8.2 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 134 mg
CSD18532NQ5BT 引脚图与封装图
CSD18532NQ5BT引脚图
CSD18532NQ5BT封装图
CSD18532NQ5BT封装焊盘图
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 250 | 13.218058 | 3304.51 |
| 500 | 11.47884 | 5739.42 |
| 1250 | 9.739621 | 12174.53 |
| 2500 | 9.252655 | 23131.64 |
| 6250 | 8.904811 | 55655.07 |
品牌其他型号
CSD18532NQ5BT品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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