CSD18532NQ5B、CSD18532Q5B、CSD18532NQ5BT对比区别

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型号 CSD18532NQ5B CSD18532Q5B CSD18532NQ5BT

描述 60V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD18532NQ5B60V，N 通道 NexFET 功率 MOSFETTEXAS INSTRUMENTS  CSD18532NQ5BT  晶体管, MOSFET, N沟道, 151 A, 60 V, 0.0027 ohm, 10 V, 2.8 V 新

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 VSON-Clip-8 VSON-Clip-8 VSON-Clip-8

通道数 1 1 -

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 0.0025 Ω 0.0027 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 156 W 3.2 W 156 W

阈值电压 2.8 V 1.8 V 2.8 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 - 60 V -

连续漏极电流(Ids) 21A 100A 21A

上升时间 8.7 ns 7.2 ns 8.7 ns

输入电容(Ciss) 5340pF @30V(Vds) 5070pF @30V(Vds) 5340pF @30V(Vds)

额定功率(Max) - 3.2 W -

下降时间 2.7 ns 3.1 ns 2.7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.2W (Ta) 3.2W (Ta), 156W (Tc) 3.1W (Ta), 156W (Tc)

长度 6 mm 6 mm -

宽度 5 mm 5 mm -

高度 1 mm 1 mm -

封装 VSON-Clip-8 VSON-Clip-8 VSON-Clip-8

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 正在供货 Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

香港进出口证 - NLR -

ECCN代码 - - EAR99