锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

CSD18532NQ5BT

CSD18532NQ5BT

TI(德州仪器) 分立器件

TEXAS INSTRUMENTS  CSD18532NQ5BT  晶体管, MOSFET, N沟道, 151 A, 60 V, 0.0027 ohm, 10 V, 2.8 V 新

N-Channel 60V 100A Ta 3.1W Ta, 156W Tc Surface Mount 8-VSON-CLIP 5x6


得捷:
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON


立创商城:
N沟道 60V 100A


德州仪器TI:
60-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 3.4 mOhm


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 151 A, 60 V, 0.0027 ohm, 10 V, 2.8 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin VSON T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSON-CLIP8 5x6mm


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD18532NQ5BT  MOSFET, N-CH, 60V, VSON-6


CSD18532NQ5BT中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0027 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 156 W

阈值电压 2.8 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 21A

上升时间 8.7 ns

输入电容Ciss 5340pF @30VVds

下降时间 2.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.1W Ta, 156W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-Clip-8

外形尺寸

封装 VSON-Clip-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

CSD18532NQ5BT引脚图与封装图
CSD18532NQ5BT引脚图

CSD18532NQ5BT引脚图

CSD18532NQ5BT封装图

CSD18532NQ5BT封装图

CSD18532NQ5BT封装焊盘图

CSD18532NQ5BT封装焊盘图

在线购买CSD18532NQ5BT
型号 制造商 描述 购买
CSD18532NQ5BT TI 德州仪器 TEXAS INSTRUMENTS  CSD18532NQ5BT  晶体管, MOSFET, N沟道, 151 A, 60 V, 0.0027 ohm, 10 V, 2.8 V 新 搜索库存
替代型号CSD18532NQ5BT
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD18532NQ5BT

品牌: TI 德州仪器

封装: VSON N-Channel 60V 21A

当前型号

TEXAS INSTRUMENTS  CSD18532NQ5BT  晶体管, MOSFET, N沟道, 151 A, 60 V, 0.0027 ohm, 10 V, 2.8 V 新

当前型号

型号: CSD18532NQ5B

品牌: 德州仪器

封装: VSON-Clip-8 N-Channel 60V 21A

类似代替

60V N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD18532NQ5B

CSD18532NQ5BT和CSD18532NQ5B的区别