制造商型号： | CSD23203WT |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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TI(德州仪器) CSD23203WT
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CSD23203WT 中文资料
数据手册PDF
CSD23203WT 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 8 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 53 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 4.9 nC
耗散功率 750 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
上升时间 12 ns
典型关闭延迟时间 58 ns
典型接通延迟时间 14 ns
外形参数
高度 0.625 mm
长度 1.5 mm
宽度 1 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.700 mg
库存： 40683
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 14.205107 | 14.21 |
| 10 | 12.725408 | 127.25 |
| 100 | 9.924635 | 992.46 |
品牌其他型号
CSD23203WT品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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