CSD23203W、CSD23203WT对比区别

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型号 CSD23203W CSD23203WT

描述 CSD23203W8 V P 通道 NexFET™ 功率 MOSFETTEXAS INSTRUMENTS  CSD23203WT  晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -8 V, 0.0162 ohm, -4.5 V, -800 mV

数据手册 --

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 DSBGA-6 DSBGA-6

针脚数 - 6

漏源极电阻 - 0.0162 Ω

极性 P-CH P-Channel

耗散功率 0.75 W 750 mW

阈值电压 - 800 mV

漏源极电压(Vds) 8 V 8 V

连续漏极电流(Ids) 3A 3A

上升时间 12 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 914pF @4V(Vds) 914pF @4V(Vds)

下降时间 27 ns 27 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 750mW (Ta) 750 mW

额定功率(Max) 750 mW -

长度 - 1 mm

宽度 - 1.49 mm

高度 - 0.28 mm

封装 DSBGA-6 DSBGA-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15