制造商型号: | CSD17311Q5 |
制造商: | TI (德州仪器) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 30V 100A 8SON |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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TI(德州仪器) CSD17311Q5
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CSD17311Q5 中文资料
数据手册PDF
CSD17311Q5 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 2.3 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 24 nC
耗散功率 3.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 200 S
上升时间 18 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 33 ns
典型接通延迟时间 12 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 30V N-Channel NexFET Power MOSFET
单位重量 250 mg
库存: 1287
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 24.15365 | 24.15 |
10 | 21.668945 | 216.69 |
100 | 17.420676 | 1742.07 |
500 | 14.31283 | 7156.41 |
1000 | 11.859096 | 11859.10 |
品牌其他型号
CSD17311Q5品牌厂家:TI
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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