锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

CSD17311Q5

CSD17311Q5

TI(德州仪器) 分立器件

30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

表面贴装型 N 通道 32A(Ta),100A(Tc) 3.2W(Ta) 8-VSON-CLIP(5x6)


得捷:
MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON


立创商城:
N沟道 30V 32A


德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 2.3 mOhm


贸泽:
MOSFET 30V N-Channel NexFET Power MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON EP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON EP T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD17311Q5  MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 30 V, 1.6 mohm, 8 V, 1.2 V


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON


CSD17311Q5中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0016 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.2 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 32A

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 4280pF @15VVds

额定功率Max 3.2 W

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 8-VSON-CLIP

外形尺寸

长度 6 mm

宽度 5 mm

高度 1 mm

封装 8-VSON-CLIP

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/06/15

CSD17311Q5引脚图与封装图
CSD17311Q5引脚图

CSD17311Q5引脚图

CSD17311Q5封装图

CSD17311Q5封装图

CSD17311Q5封装焊盘图

CSD17311Q5封装焊盘图

在线购买CSD17311Q5
型号 制造商 描述 购买
CSD17311Q5 TI 德州仪器 30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET 搜索库存
替代型号CSD17311Q5
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD17311Q5

品牌: TI 德州仪器

封装: SON N-Channel 30V 32A

当前型号

30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

当前型号

型号: CSD17312Q5

品牌: 德州仪器

封装: SON N-Channel 30V 38A

类似代替

30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD17311Q5和CSD17312Q5的区别

型号: CSD17303Q5

品牌: 德州仪器

封装: SON N-Channel 30V 100A

类似代替

30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD17311Q5和CSD17303Q5的区别

型号: CSD17308Q3

品牌: 德州仪器

封装: SMD N-Channel 30V 50A

功能相似

30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD17311Q5和CSD17308Q3的区别