制造商型号： | US6M2TR |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ROHM(罗姆) US6M2TR
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US6M2TR 中文资料
数据手册PDF
US6M2TR 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V, 30 V
漏极电流 1 A, 1.5 A
漏源电阻 240 mOhms, 390 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 700 mV, 500 mV
栅极电荷 1.6 nC, 2.1 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 6 ns, 10 ns
上升时间 9 ns, 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel MOSFET, 1 P-Channel MOSFET
典型关闭延迟时间 15 ns, 25 ns
典型接通延迟时间 7 ns, 9 ns
外形参数
高度 0.77 mm
长度 2 mm
宽度 1.7 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 US6M2
单位重量 7.500 mg
US6M2TR 引脚图与封装图
US6M2TR引脚图
US6M2TR封装图
US6M2TR封装焊盘图
品牌其他型号
US6M2TR品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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